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NTD110N02R, STD110N02R
5000
4000
C iss
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
Q T
20
16
V GS
3000
3
Q GS
Q DS
12
2000
C iss
2
V DS
8
C rss
1000
0
10
5
0
5
10
15
C oss
C rss
20
1
0
0
5
10
15
I D = 40 A
T J = 25 ° C
20
4
0
25
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DS = 10 V
I D = 55 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
120
100
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
60
10
t d(on)
40
20
1
1
10
100
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100
1 ms
10 ms
10
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
1.0
0.1
Package Limit
1.0
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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